7月13日，第十五屆汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)在青島召開，本次會(huì)議共吸引了來自國內(nèi)外 500多家機(jī)構(gòu)近 2000位專業(yè)代表參加，對(duì)汽車碳中和技術(shù)路徑研究、主要應(yīng)用場(chǎng)景的動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)等方面進(jìn)行分享和探討。
士蘭微汽車電子產(chǎn)品線高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理伍志剛在會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)做了《車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體特色封裝與先進(jìn)工藝》主題演講，分享了士蘭微車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的布局，介紹了士蘭的IGBT產(chǎn)品、SiC產(chǎn)品，以及在產(chǎn)品制造工藝、封裝技術(shù)等方面的優(yōu)勢(shì)和經(jīng)驗(yàn)。
01 士蘭車規(guī)模塊
IGBT模塊
SGM820PB8B3TFM
使用場(chǎng)合：適用于混動(dòng)和純電動(dòng)汽車等應(yīng)用領(lǐng)域；
電氣特征：士蘭微電子基于自主研發(fā)的高密度溝槽工藝IGBT芯片技術(shù)開發(fā)的六單元拓?fù)淠K；
封裝特性：采用導(dǎo)熱性優(yōu)良的DBC技術(shù)。
IGBT模塊
SSGM1R7PB12B3DTFM
使用場(chǎng)合：適用于混動(dòng)和純電動(dòng)汽車主驅(qū)等應(yīng)用領(lǐng)域；
電氣特征：采用士蘭微最新一代SiC低Rdson的1200V芯片技術(shù)；
封裝特性：采用高導(dǎo)熱AMB絕緣陶瓷基板技術(shù)，銀燒結(jié)工藝。
IGBT模塊
SGM600HF12B4TFD
使用場(chǎng)合：應(yīng)用于大功率變流器、電機(jī)傳動(dòng)、太陽能逆變器、UPS系統(tǒng)等；
電氣特征：采用士蘭第四代IGBT工藝平臺(tái)技術(shù)，具備低飽和壓降，高抗短路能力；
封裝特性：采用絕緣DBC技術(shù)。
02 士蘭汽車電子分立器件
士蘭應(yīng)用于汽車電子的分立器件包含40-100V各電壓平臺(tái)LVMOS、650V高壓超結(jié)MOS、1200V SiC MOS及各頻率段分立IGBT，可大面積覆蓋汽車各系統(tǒng)應(yīng)用，包括車身域控、電機(jī)控制、車載充電及熱泵管理等應(yīng)用，擁有良好的電氣特性及可靠性。
LVMOS
SVGQ041R3NL5V-2HS
使用場(chǎng)合：汽車助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電子泵系統(tǒng)、風(fēng)扇應(yīng)用及底盤安全等；
電氣特征：采用士蘭LVMOS工藝40V電壓平臺(tái)制造，具有低導(dǎo)通電阻及優(yōu)越的開關(guān)特性；
封裝特性：采用士蘭Wettable PDFN5*6封裝，可增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)。
LVMOS
SVGQ041R2NLS-2HF
使用場(chǎng)合：汽車助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電子泵系統(tǒng)、風(fēng)扇應(yīng)用及低壓電器盒應(yīng)用等；
電氣特征：采用士蘭LVMOS工藝40V電壓平臺(tái)制造，具有優(yōu)越的開關(guān)特性及高雪崩擊穿耐量；
封裝特性：采用士蘭Wettable sTOLL封裝，可增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)。
IGBT分立器件
SGTP50V65UFCR3P7
使用場(chǎng)合：汽車車載充電機(jī)OBC、DC/DC應(yīng)用、充電樁及光伏應(yīng)用等；
電氣特征：采用士蘭第五代場(chǎng)截止工藝制成，具較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗；
封裝特性：采用TO-247-3L封裝。
03 現(xiàn)場(chǎng)掠影
士蘭微電子利用自身在高壓智能功率模塊技術(shù)、第三代功率半導(dǎo)體器件技術(shù)、綠色電源芯片技術(shù)等多個(gè)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的積累，以及不斷強(qiáng)化的工藝平臺(tái)開發(fā)能力，不斷提升的8吋/12吋硅圓片生產(chǎn)能力、先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，為汽車客戶提供優(yōu)質(zhì)的芯片產(chǎn)品系列和系統(tǒng)性的應(yīng)用解決方案，助力產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。
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